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电荷稳定了TaON中的氧抗位点缺陷，电站以及Ta3N5中的氧杂质缺陷，这与这些材料倾向于进行氧化分解，重整形成氧化物如Ta2O5相一致。此外，伏送在典型的光催化操作条件下，TaON中的ON位点缺陷具有较低的形成能。
在这项工作中，广西第一原理模拟用于预测原型（氧）氮化物光催化剂TaON和Ta3N5中氮和氧阴离子空位的竞争稳定性和迁移率。
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县集图6.BFCNG集成器件（a）BFCNG集成器件的三维示意图。中式准获（d）装配有LIB腰带的光学照片。
储能出线程核（d）瞬态电流响应特性曲线和相应的偏压变化曲线。电站（e）不同材料体系能量密度和功率密度对比图。
